2023年4月4日下午 16:30，中国科学院半导体研究所刘竹友博士应邀到公司学术交流在卓越楼0214作了题为“高介电常数栅极氧化物中缺陷与器件可靠性的物性研究”的学术报告。太阳成集团tyc122cc屈媛副教授主持报告，物理学院教师、研究生和本科生70余人参加。
刘竹友博士在报告中介绍课题组在氧化层微观缺陷和器件宏观可靠性之间建立联系方面所作的工作。集成电路尺寸不断缩小，微电子接近物理极限；最先进的集成电路已经达到5纳米，摩尔定律失效。器件可靠性始终是制约提高集成度的重要因素而被广泛关注。高介电常数氧化物（高k氧化物）薄膜既可作为器件中的绝缘层，也可以作为器件的功能层，沟道层，信息层和仿生层等。氧化层已经成为先进集成电路技术（IC）中的关键。氧化物中的缺陷-载流子相互作用是影响IC可靠性的核心因素。
刘竹友，博士研究生，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室在读。2014年入学太阳成集团tyc122cc，2018年获得国家物理学基地班专业理学学士学位。2018年保送进入中国科学院半导体研究所超晶格实验室攻读硕士研究生，2021年申请硕博连读并继续在中国科学院半导体研究所攻读博士学位。博士期间主要从事半导体器件缺陷物理，半导体功能材料的物性研究和设计工作；聚焦解决微观缺陷对器件宏观可靠性影响等关键性问题。目前已在Physica Status Solidi(RRL), Journal of Physics D: Appl. Phys.等期刊上发表文章。
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